技術(shù)編號:11863726
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于硅通孔技術(shù)的三維集成電路箱。背景技術(shù)穿透硅通孔技術(shù),一般簡稱硅通孔技術(shù),它是三維集成電路中堆疊芯片實現(xiàn)互連的一種新的技術(shù)解決方案。由于硅通孔技術(shù)能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小,可以有效地實現(xiàn)這種3D芯片層疊,制造出結(jié)構(gòu)更復(fù)雜、性能更強大、更具成本效率的芯片,成為了目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。隨著集成度不斷提高,每片上的器件單元數(shù)量急劇增加,芯片面積增大,單元間連線的增長既影響電路工作速度又占用很多面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。