技術(shù)編號：11840485
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種適用于SiC基橋臂功率電路的死區(qū)時間優(yōu)化控制方法，屬于橋臂電路死區(qū)時間控制技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)在橋臂電路的設(shè)計(jì)中，為了避免上、下管同時導(dǎo)通，出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象，需要在PWM控制信號中設(shè)置死區(qū)時間，但是當(dāng)死區(qū)時間設(shè)置過短時，上、下管易發(fā)生直通導(dǎo)致過大的功耗乃至故障；而當(dāng)死區(qū)時間設(shè)置過長時，又會因續(xù)流二極管導(dǎo)通時間過長增加電路損耗，降低效率。因此對于電壓源型變換器來說，死區(qū)時間的設(shè)置與整機(jī)可靠性和效率有很大關(guān)系。另外，死區(qū)時間的長短還會對功率變換器的輸出電壓質(zhì)量產(chǎn)生影響。對于SiC基電壓源...
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