技術(shù)編號(hào)：11836875
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有源極/漏極覆蓋層的FinFET優(yōu)先權(quán)聲明和交叉引用本申請(qǐng)與2014年8月5日提交的標(biāo)題為“NonplanarDeviceandStrain-GeneratingChannelDielectric”的以下共同受讓的美國(guó)專利申請(qǐng)第14/451,503號(hào)相關(guān)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及集成電路器件，更具體地，涉及具有源極/漏極覆蓋層的FinFET。背景技術(shù)IC材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更復(fù)雜的電路。功能密度(即，每一芯片面積...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。