技術(shù)編號(hào)：11836629
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及具有鰭結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造工藝。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)入納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，來自制造和設(shè)計(jì)問題的挑戰(zhàn)導(dǎo)致了三維設(shè)計(jì)的發(fā)展，三維設(shè)計(jì)諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。通常地，F(xiàn)inFET器件包括具有高深寬比的半導(dǎo)體鰭并且在FinFET器件中形成半導(dǎo)體晶體管器件的溝道和源極/漏極區(qū)域。利用溝道和源極/漏極區(qū)域的增加的表面面積的優(yōu)勢(shì)，在鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)的上方和沿著鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)(例如，包裹)形成柵極以產(chǎn)生更快...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。