技術(shù)編號：11836487
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制作領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片及其制作方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路的不斷發(fā)展，芯片的制作及封裝等已經(jīng)進(jìn)入三維(3D)空間。目前，3D芯片的制作主要利用穿透硅通孔技術(shù)(TSV)將其他器件或芯片集成到一個主芯片上。一般來說，TSV是利用刻蝕工藝在主芯片上形成穿透硅通孔，并在該穿透硅通孔中填充導(dǎo)電材料以將其他器件或芯片集成到一個主芯片上。圖1為現(xiàn)有3D芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該芯片包括設(shè)置于襯底100′上的多個功能區(qū)200′，各功能區(qū)200′中設(shè)置有介電層214′，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。