技術(shù)編號：11834728
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及芯片存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及芯片中的一種列再次修復方法和裝置。背景技術(shù)非易失性存儲器在生產(chǎn)和出廠前的檢測過程中由于工藝或者自然環(huán)境因素，均可能會導致列出現(xiàn)問題，即使在測試過程中已經(jīng)對出現(xiàn)問題的壞列做過修復，被修復過的該列還可能再壞掉，這就需要對列進行再修復即多次修復，以提高修復的可靠性和芯片的良率?，F(xiàn)有的對壞列進行修復的方法是：在芯片內(nèi)部會預(yù)設(shè)一些冗余列修復資源，測試時經(jīng)過檢測將壞列用冗余列替換掉。如果想實現(xiàn)多次修復，必須對預(yù)設(shè)的冗余列區(qū)域再次遍歷檢查對錯，把新發(fā)現(xiàn)錯誤的冗余列做上壞的...
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