技術(shù)編號(hào)：11834691
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)裝置與其操作方法，且特別涉及一種具有NAND存儲(chǔ)陣列的存儲(chǔ)裝置與其操作方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)可分為揮發(fā)性存儲(chǔ)與非揮發(fā)性存儲(chǔ)。其中，非揮發(fā)性存儲(chǔ)，例如：閃存(FlashMemory)，可在電源關(guān)閉時(shí)也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，因此廣泛地應(yīng)用在各種電子裝置中。一般而言，閃存通常是采用與非門(NAND)或是或非門(NOR)架構(gòu)的存儲(chǔ)陣列，其中NAND存儲(chǔ)陣列適于應(yīng)用在高密度的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存而盛行。然而，NAND存儲(chǔ)陣列的現(xiàn)有操作方法往往無法中斷。因此，在應(yīng)用上，存儲(chǔ)裝置往往必須等待NAND存儲(chǔ)陣列的...
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