技術編號：11779641
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。產生薄無機膜的方法描述本發(fā)明屬于產生基材上的薄無機膜的方法，特別是原子層沉積方法的領域。隨著當前小型化發(fā)展，例如在半導體行業(yè)中，對基材上的薄無機膜的需要增加，同時對這些膜的質量的要求變得更加嚴格。薄無機膜用于實現(xiàn)不同目的，例如阻擋層、電介質或精細結構的分離。已知若干產生薄無機膜的方法。其中一種為將成膜化合物由氣態(tài)沉積在基材上。為了在中等溫度下使金屬或半金屬原子變?yōu)闅鈶B(tài)，需要例如通過使金屬或半金屬與合適的配體絡合來提供揮發(fā)性前體。在將絡合金屬或半金屬沉積至基材上之后需要移除這些配體。US2009/...
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