技術(shù)編號:11776473
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系有關(guān)于一種磁性元件的制造方法,特別是有關(guān)于一種在磁路上具有多數(shù)個(gè)氣隙的磁性元件的制造方法。背景技術(shù)圖1A、1B表示習(xí)知的電感元件,習(xí)知的磁性元件例如變壓器、電感元件等會(huì)利用第一磁芯11之中心柱111與第二磁芯12之中心柱121間形成的單一氣隙14來避免磁飽和,然而此種單一氣隙14若間距過大會(huì)造成較高的漏磁,導(dǎo)致能量耗損增加。且習(xí)知具氣隙的磁性元件需要使用繞線架10將繞線組13固定于第一磁芯11與第二磁芯12之間,會(huì)使所能容置的繞線組減少,而降低繞線使用率及磁性元件的工作效率。市面上有磁性...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。