技術(shù)編號：11772968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種添加劑，具體地，涉及一種能改變TSV微孔鍍銅填充方式的添加劑C及包含其的電鍍液。背景技術(shù)硅通孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon-Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術(shù)不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片運行速度和降低功耗。TSV電鍍填銅工藝中，關(guān)鍵之處即在必須將銅無孔洞、無縫隙地完全電沉積在高深寬比的微孔中。電沉積時，如果銅在溝道兩側(cè)和底面...
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