技術(shù)編號(hào)：11730922
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種抗總劑量效應(yīng)的SOIMOS器件及其制作方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種抗總劑量效應(yīng)的SOIMOS器件及其制作方法。背景技術(shù)SOI(Silicon-On-Insulator)是指絕緣體上硅。SOI技術(shù)自被發(fā)明以來，由于其天然的抗單粒子栓鎖效應(yīng)、寄生電容小、集成度高、功耗低等特點(diǎn)而應(yīng)用到半導(dǎo)體制作領(lǐng)域。航天電子元器件由于其較體硅具有抗單粒子效應(yīng)的優(yōu)勢(shì)而廣泛。由于航天電子元器件工作環(huán)境惡劣，常常受到粒子輻射而導(dǎo)致器件性能影響；其中最常見的是總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)。由于相對(duì)體硅工藝...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。