技術(shù)編號：11730649
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用大氣壓低溫等離子體提高電容器儲能密度的方法。背景技術(shù)儲能電容器因具有高儲能密度、充放電速度快、抗循環(huán)老化、適用于高溫高壓等極端環(huán)境和性能穩(wěn)定等優(yōu)點，近年來在電力系統(tǒng)、電子器件、脈沖功率源等方面扮演著重要的角色。電容器薄膜材料由于具有良好的柔韌性、擊穿場強高、質(zhì)量輕、加工溫度低、可以大面積成膜等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用。但由于其介電常數(shù)和擊穿場強低，儲能密度受到限制。通過電容器薄膜改性或摻雜可以提高電容器薄膜的擊穿場強，從而提高電容器儲能密度，是當(dāng)前的研究熱點。中國專利CN2013100...
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