技術(shù)編號(hào):11721410
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包含π-共軛系導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電性高分子組合物、使用所述導(dǎo)電性高分子組合物的包覆品以及圖案形成方法。背景技術(shù)在集成電路(IntegratedCircuit,IC)和大規(guī)模集成電路(LargeScaleIntegration,LSI)等半導(dǎo)體元件的制造工藝中,以往是利用光微影法來(lái)進(jìn)行微細(xì)加工,其中所述光微影法使用光致抗蝕劑(photoresist)。所述方法是通過(guò)照射光來(lái)誘發(fā)薄膜的交聯(lián)或分解反應(yīng),由此,使此薄膜的溶解性顯著變化,并且將使用溶劑等進(jìn)行的顯影處理的結(jié)果所獲得的抗蝕劑圖案作...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。