技術(shù)編號(hào)：11709303
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)目前，需要使用金屬柵電極來代替多晶硅柵極以解決半導(dǎo)體器件尺寸逐漸減小所帶來的問題。使用金屬柵電極可以消除為了大幅減小器件的閾值電壓所造成的多晶硅損耗。高k(介電常數(shù))金屬柵極工藝有三種主要的方法，分別被稱為先高k電介質(zhì)/先柵極工藝，先高k電介質(zhì)/后柵極工藝，以及后高k電介質(zhì)/后柵極工藝。隨著金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)器件尺寸的減小，為了避免高溫處理，在工藝過程中優(yōu)選采用后高k電介質(zhì)和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。