技術(shù)編號(hào):11707339
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于電容器的技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō),涉及一種射頻大功率電容器。背景技術(shù)用于RF線路的多層瓷介電容器,其功率/電流通過(guò)能力決定其可靠性。電流在多層瓷介電容器內(nèi)分布不均勻,這是由于多層瓷介電容器是由多層平板電容并聯(lián)形成。如果電容器內(nèi)部有N個(gè)平板電容,內(nèi)電極分支數(shù)就為N+1。最靠外的兩個(gè)內(nèi)電極比里面的電極承載的電流小。兩個(gè)相鄰的內(nèi)電極組成一個(gè)平板電容。如果流入電容器電流為I,每個(gè)平板電容分流I/N。最外層的內(nèi)電極實(shí)際承載的電流就為I/N,而中間的內(nèi)電極由于承載相鄰兩個(gè)平板電容的電流,其實(shí)際承載電...
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