技術(shù)編號：11692153
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及包括三維布置的存儲單元的三維(3D)半導(dǎo)體存儲器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的更高的集成度正被實(shí)現(xiàn)以滿足消費(fèi)者對于優(yōu)異的性能和低廉的價(jià)格的需求。在半導(dǎo)體器件的情形下，由于它們的集成度是決定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素，所以期望提高的集成度。在通常的二維或平面半導(dǎo)體存儲器件的情形下，由于它們的集成度主要由單位存儲單元占據(jù)的面積決定，所以集成度極大地受精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，提高圖案精細(xì)度所需的昂貴工藝設(shè)備對提高二維或平面半導(dǎo)體器件的集成度設(shè)置了實(shí)際限制。為了克服這...
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