技術(shù)編號(hào)：11692149
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展，在存儲(chǔ)裝置方面已開發(fā)出存取速度較快的快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)。快閃存儲(chǔ)器具有可多次進(jìn)行信息的存入、讀取和擦除等動(dòng)作，且存入的信息在斷電后也不會(huì)消失的特性，因此，快閃存儲(chǔ)器已成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非易失性存儲(chǔ)器。圖1示出一種常規(guī)的快閃存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該快閃存儲(chǔ)器包括襯底100，淺溝槽隔離(STI)101，隧穿氧化層102、浮柵103、ONO(氧化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。