技術(shù)編號(hào)：11692085
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備固定裝置。背景技術(shù)隨著集成電路中器件集成密度及復(fù)雜度的不斷增加，對(duì)半導(dǎo)體工藝過程的嚴(yán)格控制顯得尤為重要。目前，半導(dǎo)體工業(yè)中的等離子體刻蝕機(jī)常用的等離子體源有電感耦合等離子體、變壓器耦合等離子體以及電子自旋共振等離子體等。這些等離子體源所產(chǎn)生的等離子體具有較高的刻蝕速率，如果工藝控制不合理的話，出現(xiàn)的過度刻蝕很容易造成下一層材料的損傷，進(jìn)而造成器件失效。因此，必須對(duì)刻蝕過程中的一些參數(shù)，如刻蝕用的化學(xué)氣體、刻蝕時(shí)間、刻蝕速率，以及刻蝕選擇...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。