技術(shù)編號(hào)：11656113
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及其制造方法。更具體的說，本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置，其存儲(chǔ)器陣列中具有埋入(或嵌入)位線、埋入字線，與增大的存儲(chǔ)單元接觸區(qū)域，以及所述存儲(chǔ)器裝置的制造方法。背景技術(shù)本技術(shù)領(lǐng)域所熟知的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)裝置，是由若干存儲(chǔ)單元所組成。DRAM裝置的各個(gè)存儲(chǔ)單元均包含一晶體管以及一電容，其中電容電連結(jié)到晶體管的一端點(diǎn)，例如漏極(或源極)。位線(digitline)則被電連結(jié)到晶體管的另一端點(diǎn)，例如源極(或漏極)。存儲(chǔ)單元是通過字線和位線來定址，其中之一涉及存儲(chǔ)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。