技術(shù)編號：11645290
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種石英坩堝的制作方法，特別涉及一種超高純涂層石英坩堝的制作方法。背景技術(shù)多晶硅鑄錠用石英方坩堝作為高純度太陽能級(6N，99.9999％)多晶硅原料高溫熔融過程中的載體容器，傳統(tǒng)的石英方坩堝材料純度通常為3N(99.9％)，雖然在坩堝的內(nèi)表面噴涂了一層高純度氮化硅涂層用來阻隔多晶硅與石英材料，但坩堝本身所攜帶的雜質(zhì)會在高溫下析出滲透至多晶硅料中，并在分凝效應(yīng)后聚集在晶錠的四個側(cè)面及底部位置，造成這些區(qū)域的雜質(zhì)含量高，在晶錠掃描圖中呈紅色，見附圖1。這部分雜質(zhì)含量高的區(qū)域，晶錠的少子壽...
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