技術(shù)編號：11636158
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、制造方法和電子設(shè)備，并且更具體地涉及通過層疊和集成諸如存儲器、邏輯電路和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA，F(xiàn)ield-ProgrammableGateArray)等器件而獲得的半導(dǎo)體裝置、制造方法和電子設(shè)備。背景技術(shù)在良品率和包裝尺寸方面而言，諸如存儲器等半導(dǎo)體裝置期望被小型化，且已經(jīng)批量制造通過電連接和集成被分割成單片的半導(dǎo)體芯片而獲得的半導(dǎo)體器件。這種半導(dǎo)體裝置主要作為封裝技術(shù)的發(fā)展變型被實(shí)現(xiàn)，且經(jīng)由芯片側(cè)壁上的電極的連接方法、經(jīng)由硅中介層的連接方法和經(jīng)由貫穿電極(penet...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。