技術(shù)編號：11592705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor；MOSFET)裝置的制造，尤其適用于檢測14納米(nm)技術(shù)節(jié)點及以下的源極/漏極(TS)至柵極(PC)(TS-PC)短路。背景技術(shù)就MOSFET裝置制造而言，TS-PC短路缺陷是先進(jìn)制程技術(shù)開發(fā)的一些最常見且不利的失效機(jī)制。在線檢測TS-PC短路缺陷對于因新的材料/流程實施而可能發(fā)生于原子級上的新短路機(jī)制尤具挑戰(zhàn)性。一般來說，由于分辨率及對比度限制，嚴(yán)重的TS...
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