技術(shù)編號(hào)：11590729
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于鐵電材料模擬技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種位錯(cuò)對(duì)鐵電材料疇結(jié)構(gòu)影響機(jī)理的分析方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器主要有兩大體系：易失性存儲(chǔ)器和非易失性鐵電存儲(chǔ)器。非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是由美國Ramtron公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲(chǔ)器。其核心是鐵電晶體材料，鐵電晶體材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性。非易失性鐵電存儲(chǔ)器因其眾多優(yōu)良的特性有著廣泛的應(yīng)用潛力，被譽(yù)為最有潛力的存儲(chǔ)器。然而，非易失性鐵電存儲(chǔ)器存在一系列亟待解決的失效問題(例如，鐵電...
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