技術(shù)編號:11586842
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及制造嵌入式閃存單元的均勻的隧道電介質(zhì)的方法。背景技術(shù)嵌入式存儲器是與通常的集成電路(IC)管芯或芯片上的邏輯器件集成的電子存儲器。嵌入式存儲器能夠支持邏輯器件的操作,并且經(jīng)常與非常大規(guī)模的集成(VLSI)IC管芯或芯片一起使用。該集成通過消除芯片之間的互連結(jié)構(gòu)有利地改進(jìn)了性能,并且通過在嵌入式存儲器和邏輯器件之間共享處理步驟有利地降低了制造成本。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,提供了一種形成集成芯片的方法,包括:在襯底內(nèi)的邏輯區(qū)、控制柵極區(qū)和選擇柵極區(qū)上方形成電荷捕獲介電結(jié)構(gòu);實...
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