技術(shù)編號：11586754
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，將IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)芯片和具有內(nèi)部寄生二極管的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片電連接，從而將IGBT、MOSFET以及二極管并聯(lián)連接(例如，參考專利文獻1)。另外，已知具有IGBT和FWD(FreeWheelingDiode，續(xù)流二極管)的RC-IGBT(逆導(dǎo)型IGBT)(...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。