技術(shù)編號：11561913
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種HEMT器件，特別是涉及一種具有p+型摻雜通道硅襯底的HEMT器件。背景技術(shù)HEMT（HighElectronMobilityTransistor），高電子遷移率晶體管，是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）、二維電子氣場效應(yīng)晶體管（2-DEGFET）、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管（SDHT）等。硅襯底因其有大尺寸低成本等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于氮化鎵（GaN）基的HEMT器件中。擊穿電壓（BreakdownVoltage），是衡量HEMT器件性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)，...
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