技術(shù)編號(hào)：11546338
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。RRAM電路以及RRAM行形成的方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2015年11月16日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/255,733號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)電路及其相關(guān)形成方法。背景技術(shù)許多現(xiàn)代電子器件包含被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在其被供電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在掉電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)是下一代非易失...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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