技術(shù)編號：11533867
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在微電子中用于銅沉積的流平劑相關(guān)申請的交叉參考本申請要求2014年9月15日提交的美國臨時申請62/050,574的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用而并入。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明整體上涉及在電解沉積化學(xué)中使用的添加劑和用于沉積銅與銅合金的方法；和更具體地涉及在電解鍍敷溶液中使用的流平劑(leveler)添加劑和用于半導(dǎo)體襯底中互連特征的銅金屬化的方法。發(fā)明背景對半導(dǎo)體集成電路(IC)器件，例如具有高電路速度和高電路密度的計(jì)算機(jī)芯片的需求要求在超大規(guī)模集成(ULSI)和甚大規(guī)模集成(VLSI)結(jié)構(gòu)中特征尺寸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。