技術(shù)編號(hào)：11531443
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造CZTS基太陽能電池光吸收層的金屬硫?qū)倩锛{米顆粒、制備其的方法、使用所述納米顆粒制造的CZTS基太陽能電池光吸收層和制造太陽能電池的方法。本申請(qǐng)要求于2014年11月13日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2014-0157951的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。背景技術(shù)從其發(fā)展的早期階段開始就已經(jīng)使用以高成本形成的光吸收層以及作為半導(dǎo)體材料的硅(Si)來制造太陽能電池。為了更經(jīng)濟(jì)地制造工業(yè)上可行的太陽能電池，已經(jīng)開發(fā)了利用廉價(jià)的光吸收材料(例如銅銦鎵(二)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。