技術(shù)編號：11521950
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施方式涉及存儲器件，更具體地，涉及具有集成的存儲元件的垂直存儲器件。背景技術(shù)日益要求電子器件處理大容量的數(shù)據(jù)同時在體積上逐漸減小。為了實現(xiàn)此，半導(dǎo)體存儲元件正以增大的集成度制作。為了增大半導(dǎo)體存儲元件的集成度，可以使用具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的存儲器件。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施方式，一種存儲器件包括：外圍區(qū)域，包括第一基板、設(shè)置在第一基板上的多個電路元件、設(shè)置在所述多個電路元件上的第一絕緣層以及設(shè)置在第一絕緣層中的第一保護(hù)層；和單元區(qū)域，包括設(shè)置在第一絕緣層上的第二基板，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。