技術(shù)編號(hào):11521814
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的工藝節(jié)點(diǎn)正不斷減小。然而,由于受到現(xiàn)有的光刻工藝精度的限制,以現(xiàn)有的光刻工藝形成的掩膜圖形難以滿足半導(dǎo)體器件持續(xù)減小特征尺寸(CriticalDimension,簡(jiǎn)稱CD)的需求,特別當(dāng)特征尺寸減小到30nm以下時(shí),現(xiàn)有的光刻工藝無(wú)法制備精細(xì)的圖案,遏制了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于,提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法,可以精確地制備小特征尺寸的圖案。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。