技術(shù)編號(hào)：11477037
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置[相關(guān)申請(qǐng)案]本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2016-25096號(hào)(申請(qǐng)日：2016年2月12日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤┓绞缴婕耙环N半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，已知有NAND型閃速存儲(chǔ)器。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種可提升處理能力的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包含可設(shè)定為至少4個(gè)閾值電壓中的任一個(gè)閾值電壓的第1存儲(chǔ)單元、連接于第1存儲(chǔ)單元的第1位線、連接于第1存儲(chǔ)單元的柵極的字線、及連接于第1位線...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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