技術編號：11474829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體制造技術領域，特別是指一種過濾裝置、真空抽氣裝置及刻蝕設備。背景技術刻蝕是半導體制造過程中的重要工藝，刻蝕需要在真空反應腔中進行，在刻蝕完成之后，通過真空抽氣裝置抽出真空反應腔室中的工藝廢氣。具體地，在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離形成等離子體，等離子體由帶電的電子和離子組成，真空反應腔室中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團?；钚曰鶊F與被刻蝕物質表面發(fā)生化學反應，并生成揮發(fā)性的反應生成物(工藝廢氣)。反應生成物脫離被刻蝕物質...
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