技術(shù)編號：11452825
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及反熔絲存儲器及半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，通過破壞絕緣膜來進行一次性數(shù)據(jù)寫入的反熔絲存儲器，人們知道的有具有美國專利第6,667,902號說明書(專利文獻(xiàn)1)所示結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲器。在該專利文獻(xiàn)1中所示的反熔絲存儲器由在阱上并列形成有開關(guān)晶體管和存儲器電容的雙晶體管構(gòu)成。實際上，由晶體管結(jié)構(gòu)構(gòu)成的開關(guān)晶體管中，在阱上通過開關(guān)柵極絕緣膜形成有開關(guān)柵極，在開關(guān)柵極上連接有字線，且在形成于阱表面的一個擴散區(qū)域連接有位線。另外，在與開關(guān)晶體管成對的存儲器電容中，在阱上通過存儲器柵極絕緣...
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