技術(shù)編號：11452583
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于電子器件用外延基板、電子器件、電子器件用外延基板的制造方法、以及電子器件的制造方法。背景技術(shù)關(guān)于電子器件用化合物半導(dǎo)體外延晶片的制造技術(shù)，針對在硅(Si)基板上外延生長出氮化鎵(GaN)膜的半導(dǎo)體外延晶片，正在研究能夠改善其電特性、特別是縱向的漏泄電流的制造方法。在這樣的研究中，是在半導(dǎo)體外延晶片制造后，于半導(dǎo)體外延晶片表面制作出器件，并進(jìn)行電特性評價。以往，為了要進(jìn)行外延生長，一直以來，優(yōu)選的是，要進(jìn)行外延生長的基底的表面平坦。例如，專利文獻(xiàn)1有提及初始層的AlN(氮化鋁)層的粗糙...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。