技術(shù)編號(hào)：11433070
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及用于低功率應(yīng)用的MCML保留觸發(fā)器/鎖存器。背景技術(shù)在集成電路(IC)內(nèi)利用邏輯應(yīng)用的金屬氧化物(MOS)電流模邏輯(MCML)部件提供了高性能、低功耗以及高頻來替代互補(bǔ)金屬氧化物(CMOS)部件。相對(duì)于現(xiàn)有半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)狀態(tài)內(nèi)的MCML邏輯電路，CMOS邏輯電路的電流消耗在CMOS邏輯器件的兆赫茲(GHz)范圍內(nèi)表現(xiàn)出更高的電流消耗，因此使MCML邏輯器件成為GHz范圍內(nèi)的IC應(yīng)用的更優(yōu)選擇。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種保留觸發(fā)器，包括：...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。