技術(shù)編號:11427925
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。半導(dǎo)體制造裝置用耐腐蝕性構(gòu)件及其制法本發(fā)明為下述申請的分案申請。發(fā)明名稱:半導(dǎo)體制造裝置用耐腐蝕性構(gòu)件及其制法申請日:2011年03月18日申請?zhí)枺?01180015793.9(PCT/JP2011/056624)技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體制造裝置用耐腐蝕性構(gòu)件及其制法。背景技術(shù)半導(dǎo)體制造中實施干燥工序和等離子體噴涂等時所利用的半導(dǎo)體制造裝置中,作為蝕刻、清洗用,使用的是反應(yīng)性高的F、Cl系等離子體。因此,用于此種裝置的構(gòu)件必須有高耐腐蝕性,對于靜電卡盤和加熱器等與Si晶片接觸的構(gòu)件,需要更高耐腐...
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