技術(shù)編號:11427640
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及銅鐵礦結(jié)構(gòu)晶體材料合成制備領(lǐng)域,特別是利用水熱法在較低溫度下合成制備CuCoO2晶體材料。背景技術(shù)1997年,日本東京工業(yè)大學(xué)的Kawazoe教授在Nature上首次報道基于價帶化學(xué)修飾(ChemicalmodulationofValenceband,簡稱CMVB)理論,利用脈沖激光沉積(PulseLaserDeposition,簡稱PLD)技術(shù),制備出具有適合大量多子空穴存在及輸運的銅鐵礦結(jié)構(gòu)(ABO2)的本征p型透明導(dǎo)電CuAlO2薄膜,室溫下薄膜的電導(dǎo)率為0.95s/cm。這一成...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。