技術(shù)編號(hào):11409766
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件在尺寸上不斷減小,諸如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)已經(jīng)發(fā)展以替代平面的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。FinFET的結(jié)構(gòu)特征是硅基鰭,硅基鰭從襯底表面垂直延伸,并且包繞由鰭形成的導(dǎo)電溝道的柵極進(jìn)一步提供了對溝道的更好的電控制。源極/漏極(S/D)和溝道的輪廓對于器件性能是至關(guān)重要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的方法,包括:圖案化半導(dǎo)體襯底以在所述半導(dǎo)體襯底中形...
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