技術編號：11401197
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有復雜螺旋結構的層狀WS2二維納米材料及其制備方法，屬于光電材料設計制備技術領域。技術背景硫族過渡金屬化合物，如MoS2、MoSe2、WS2和WSe2，由于其原子級超薄層狀結構、獨特的光電性質(zhì)及在集成納米系統(tǒng)的潛在應用，作為新的二維層狀材料已經(jīng)吸引了廣泛的關注。不同于石墨烯材料沒有帶隙，這些原子級超薄二維層狀材料有直接帶隙并且在室溫激光激發(fā)下可以有熒光發(fā)射，使其在電學及光電子學上有著極其重要的應用。不同帶隙的納米級半導體在塊狀半導體帶隙領域設計上已得到了廣泛的應用。在納米電子學及...
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