技術(shù)編號：11388168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本揭露內(nèi)容實施例是有關(guān)一種半導體裝置與其制造方法。背景技術(shù)在半導體結(jié)構(gòu)和制造半導體的制程中已有許多的發(fā)展，這些發(fā)展有助于縮小半導體的體積并增加集成電路的效能。當柵極長度持續(xù)縮小，在鄰近的元件間減少寄生效應和避免短路變得相當困難。更明確地說，當晶體管和其連接的源極/漏極接觸的距離因為單位晶胞縮小而變得更小時，可能會造成柵極和接觸之間的短路。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本揭露內(nèi)容的多個實施方式，是提供一種半導體裝置，半導體裝置包含晶體管的第一導電圖柵極圖案、沿著柵極圖案側(cè)壁的第一側(cè)壁間隔件、和第一側(cè)壁間隔件接觸并具...
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