技術(shù)編號(hào)：11331917
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及能夠得到強(qiáng)漏磁通的導(dǎo)磁率低、使用效率高的Ni系合金濺射靶材。背景技術(shù)近年來，垂直磁記錄的進(jìn)步顯著，為了驅(qū)動(dòng)器的大容量化，磁記錄介質(zhì)的記錄高密度化推進(jìn)，利用以前普及的面內(nèi)磁記錄介質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的記錄密度的垂直磁記錄方式得到實(shí)用化。在此，所謂垂直磁記錄方式，就是在垂直磁記錄介質(zhì)的磁性膜中，使易磁化軸相對(duì)于介質(zhì)面沿垂直方向取向而形成，是適于高記錄密度的方法。而且，在垂直磁記錄方式中，開發(fā)出具有提高了記錄密度的磁記錄膜相和軟磁性膜相的記錄介質(zhì)，在這樣的介質(zhì)構(gòu)造中，開發(fā)出在軟磁性層與磁記錄層之...
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