技術(shù)編號(hào)：11290210
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及準(zhǔn)分子激光腔室裝置。背景技術(shù)近年來，在半導(dǎo)體曝光裝置(以下，稱為“曝光裝置”)中，隨著半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化和高度集成化，要求提高分辨能力。因此，正在推進(jìn)從曝光用光源發(fā)射的光的短波長(zhǎng)化。一般而言，曝光用光源使用氣體激光器裝置來代替現(xiàn)有的汞燈。例如，作為曝光用的氣體激光器裝置，使用輸出波長(zhǎng)為248nm的紫外線激光的KrF準(zhǔn)分子激光器裝置以及輸出波長(zhǎng)為193nm的紫外線激光的ArF準(zhǔn)分子激光器裝置?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開平6-029592號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：美國(guó)專利第785...
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