技術(shù)編號：11289833
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造方法，特別是涉及一種超級結(jié)器件的制造方法。背景技術(shù)功率器件耐壓的原理是將器件的漂移區(qū)(driftregion)低摻雜，使器件在高電壓時能產(chǎn)生大面積的耗盡區(qū)來達(dá)到耐壓的效果。因為垂直型器件具備較厚的漂移區(qū)，因此在高壓應(yīng)用中，垂直型器件是較佳的選擇。超級結(jié)(SuperJunction)器件同時結(jié)合了VDMOS在開關(guān)時低損耗以及IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)低損耗的優(yōu)點，以優(yōu)異的性能得到了廣泛應(yīng)用。超級結(jié)器件中的超級結(jié)是由交替排列的P型柱和N型柱組成，通常采用在N型外延層如N型硅外...
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