技術(shù)編號:11284012
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種碳化硅質(zhì)復(fù)合體的制造方法,該碳化硅質(zhì)復(fù)合體適于:搭載半導(dǎo)體元件等電子構(gòu)件、電氣構(gòu)件的半導(dǎo)體電路基板、特別是電源模塊等所使用的陶瓷基板的散熱構(gòu)件,及散熱器。背景技術(shù)近年來,電路基板的小型化、半導(dǎo)體元件的高集成化飛速發(fā)展,期望進一步提高電路基板、特別是以陶瓷為基板的陶瓷電路基板的散熱特性。作為散熱特性優(yōu)異的陶瓷電路基板,添加有氧化鈹(BeO)的碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)等陶瓷受到關(guān)注。將上述陶瓷基板用于電路基板、封裝用基體等時,使被傳遞至陶瓷基板的由半導(dǎo)體...
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