技術編號：11276724
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法技術領域本發(fā)明涉及一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法。背景技術目前，CMOS集成電路的快速發(fā)展大大促進了硅基微電子工業(yè)的發(fā)展，有將近95％以上的半導體器件和99％以上的集成電路(IC)是用硅材料制作的。然而隨著集成電路集成度的不斷提高，MOS器件的特征尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)以二氧化硅或氮化硅作為柵極絕緣體的缺陷逐步凸顯出來，尤其是當柵介質層的厚度小于2nm時，這樣的硅基柵極絕緣體會發(fā)生漏電和雜質擴散現(xiàn)象。因此，有必要尋求一種新的柵介質層來替代二氧化硅。最直...
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