技術(shù)編號：11202497
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種空腔的石墨烯基復(fù)合薄膜及其制備方法。背景技術(shù)石墨烯是目前發(fā)現(xiàn)的最薄、強度最大、導(dǎo)電導(dǎo)熱性最好的一種新型納米材料，其抗拉強度約為普通鋼的100倍，可以承受大約2噸的重量，并且具有良好的柔韌性。石墨烯的電子遷移率為硅中電子遷移率的140倍，溫度穩(wěn)定性高，面電阻比銅、銀更低，是室溫下導(dǎo)電最好的材料。石墨烯的比表面積大，熱導(dǎo)率是硅的36倍，使得石墨烯在柔性導(dǎo)電薄膜方面具有重要應(yīng)用。在光學(xué)方法，單層石墨烯對可見光及近紅外波段光垂直的吸收率僅為2.3％，對所有波段的光無...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。