技術編號：11117789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于二硫化鉬/微納米碳復合材料的合成技術領域，具體涉及一種制備單層1T相二硫化鉬/微納米碳復合材料的方法。背景技術二硫化鉬具有典型三明治層狀結構，由于其層間相對較弱的范德華力，也可以剝離成單層或少層數(shù)的納米片，被認為是另外一種相當重要的二維納米片材料，具有獨特的物理、化學和電學特性。Radisavljevic等人測試表明單層MoS2的電導率要比塊體MoS2提高100個數(shù)量級，使得其在電子器件及電子傳感器中有著優(yōu)越的性能（Nat.Nanotechnol.2011,6,147）；Mak等人通過...
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