技術(shù)編號(hào)：10688913
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在襯底上方形成有作為電子渡越層的GaN層以及形成有AlGaN層的電子器件(化合物半導(dǎo)體器件)近來(lái)取得了積極的發(fā)展。這種化合物半導(dǎo)體器件中的一種是GaN高電子迀移率晶體管(HEMT)。將GaN HEMT用作電壓源逆變器的開關(guān)能夠減小導(dǎo)通電阻以及增大耐受電壓。當(dāng)與Si晶體管進(jìn)行比較時(shí)，其也能夠減小待機(jī)功耗以及增大工作頻率。由于這些原因，其能夠減小逆變器的開關(guān)損耗和功耗。另外，當(dāng)與具有相似性能的Si晶體管進(jìn)行比較時(shí)，其還能夠減小尺寸。在GaN層用作電子渡越層以及...
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