技術(shù)編號：10625855
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在至少部分地由針對增強(qiáng)處理速度和較小大小的需求的驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體裝置已變得越來越復(fù)雜。增強(qiáng)的處理速度往往會涉及較高時(shí)鐘速度，其可涉及信號電平之間更頻繁的轉(zhuǎn)換，此又可導(dǎo)致以較高頻率或較短波長的較高電平的電磁發(fā)射。電磁發(fā)射可從源半導(dǎo)體裝置輻射，且可入射于鄰近半導(dǎo)體裝置上。如果鄰近半導(dǎo)體裝置處的電磁發(fā)射的電平充分高，那么這些發(fā)射可不利地影響所述鄰近半導(dǎo)體裝置的操作。此現(xiàn)象有時(shí)被稱作電磁干擾(EMI)。較小設(shè)定大小的半導(dǎo)體裝置可通過在總電子系統(tǒng)內(nèi)提供較高密度的半導(dǎo)體...
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